HP са успели да осъществят на практика идеята на Leon Chua (професор в университета Бъркли), от 1971 година.
Идеята е създаване на нелинеен резистор с две различни стойности на съпротивлението които отговарят на 0 и 1 като носител на информация затова е кръстен memristor (memory resistor). Това е постигнато чрез платинени нишки и слоеве титаниев диоксид.
Феноменалното в случая е че състоянието на резисторите ( информацията ) не се губят при отпадане на захранването, скоростта на прочитане или записване на информацията е като при сегашната DRAM памет, а посредством разработените от HP технологии платинените проводница са с дебелина 10 атома.
С тези технологии могат да се постигнат гъстота на информацията на твърдите дискове - 100 гигабита на квадратен сантиметър.



Разликата между този метод и phase change memory ( подобно на CD-тата за кратко време се нагрява до няколко стотин градуса малка зона и веществото в нея в зависимост от това колко бързо се охлади се получава аморфна или кристална структура за двете състояния на информацията 0 и 1 ) е че се използва много по-малко енергия за прочитане и записване на информацията.

От HP в същото време се работи по намаляване на размера на пътечките до по-малко от 10 атома което ще намали и размера на паметта и необходимата енергия за нейната работа.